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Samsung Galaxy S10 monterà il primo modulo DRAM LPDDR5

Pochi giorni fa Samsung Electronics ha annunciato il primo modulo DRAM LPDDR5 da 8GB al mondo.

La nuova tecnologia dedicata a queste memorie non è ancora in fase produzione di massa ma è fornita ai propri partner in forma di prototipi funzionanti. I chip LPDDR5 verranno prodotti nella nuova linea di produzione dell’azienda a Pyeongtaek, in Corea del Sud.

Il primo utilizzo di questa memoria sarà dedicata ai futuri device top di gamma, primo fra tutti il prossimo Galaxy S10 che diventerà il primo smartphone a beneficiare dell’incremento prestazionale legato all’uso di questa nuova tecnologia.

In seguito i nuovi chip è previsto trovino impiego nel settore automobilistico, confermando le aspettative dello scorso anno.

Anche gli OEM avranno infine avranno la possibilità di implementare i nuovi moduli nei loro prodotti beneficiando dei miglioramenti relativi ai consumi e alla velocità sia d’accesso che di trasferimento dati.

Entrando nello specifico possiamo notare come il nuovo modulo LPDDR5 sia realizzato con processo produttivo a 10nm unendo diversi chip DRAM high-end. La velocità massima di trasferimento è di 6.400 Mbps con una tensione operativa di 1,1 V che risulta di gran lunga superiore alle soluzioni con LPDDR4X  che arrivano al limite di 4.266 Mbps (un miglioramento di oltre il 50%).

Infine è importante sottolineare come le nuove RAM avranno una riduzione dei consumi fino al 30% rispetto alla precedente generazione.

Samsung ha intenzione di offrire due configurazioni a larghezza di banda differnti: una è quella sopracitata mentre la seconda ha una tensione operativa di 1,05 V con trasmissione dati fino a 5.500 Mps.