Samsung, per la produzione delle memorie integrate da 512GB, è riuscita ad inserire ben 8 strati da 64GB ed un controller in un involucro eUFS delle stesse dimesioni di quello utilizzato fino ad ora per inserire memorie eUFS da 256GB basate su tecnologia V-NAND.
Le memorie integrate da 512GB rappresentano un bel passo avanti rispetto alle precedenti da 256GB: con una tale capacità di memoria sarà possibile registrare 130 filmati da 10 minuti in 4K UHD, ovvero 10 volte di più rispetto alle classiche memorie da 64GB, stando alle dichiarazioni del The Korea Herald.
Le memorie integrate eUFS da 512GB rappresentano la soluzione migliore per i device di prossima generazione, dichiara Han Jae-soo, VP Executive del Memory Sales di Samsung, anche perché avranno prestazione di gran lunga migliori rispetto alle classiche schede MicroSD.
Ma le memorie da 256GB non finiranno nel dimenticatoio, anzi: Samsung ha previsto un incremento del volume di produzione di memorie eUFS da 512GB, unito all’espansione della produzione di chip da 256GB per venire incontro alla domanda sempre crescente.
Leggi anche Galaxy S9 potrebbe arrivare sul mercato con DeX Pad
Con device sempre più performanti che producono file sempre più pesanti l’incremento del taglio di memoria integrato è una mossa sicuramente sensata. Con l’aumento del limite di storage interno i tagli di memoria più piccoli andranno sempre più a scomparire in favore di quantità di memoria più consone ai file prodotti dai device.