Già da gennaio le voci sul top di gamma ZTE previsto per quest'anno, il Grand SII, si sono fatte pressanti, tuttavia si pensava di essere arrivati ad un punto "morto", con le caratteristiche del device note a tutti e non differenti da quelle degli altri dispositivi di fascia alta dell'anno corrente, ma sembra che qualcosa in casa ZTE sia cambiato.
Oggi infatti sul sito della TENNA (“variante” cinese dell’FCC) sono comparse varie foto dello smartphone, correlate da una panoramica approfondita della componentistica hardware di cui sarà dotato. Oltre ad un “classico” display da 5.5″ FullHD ed un ormai conosciuto Snapdragon 800, pare dunque che il phablet sarà venduto con a bordo ben 4GB di memoria RAM, battendo così il primato del Galaxy Note III divenendo il device più performante sotto tale punto di vista.
Non sappiamo quanto realmente possano servire 4GB di RAM su uno smartphone Android, tuttavia ci fa sempre piacere assistere all’avanzamento tecnologico, che porterà certamente a qualcosa di migliore ed innovativo. Cosa ne pensate?