Alcuni giorni fa Qualcomm ha ufficialmente annunciato il nuovo Snapdragon 835 e la ricarica rapida Quick Charge 4.0, le ultime novità per la fascia alta del mercato smartphone che arriveranno nella prima metà del 2017. L’azienda statunitense non ha rivelato i dettagli tecnici del processore, svelando solamente che sarà realizzato da Samsung sfruttando il proprio processo produttivo FinFET a 10nm, ma nonostante ciò, nelle ultime ore sono emersi in rete nuovi dettagli sulle caratteristiche di questo SoC.
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Seppur non ci siano informazioni ufficiali, secondo quest’ultimo leak il nuovo Snapdragon 835 dovrebbe essere basato su un’architettura più recente Kryo 200, la quale sfrutterà una configurazione octa-core (4+4) e sarà accompagnata dalla GPU Adreno 540.
Ma non solo, il nuovo modem sarà in grado di supportare reti LTE Cat.16 e non mancherà il supporto fino a quattro canali di memorie LPDDR4 a 1866 MHz e UFS 2.1.
La tabella si chiude con l’indicazione del Samsung Galaxy S8 come uno dei primi smartphone a portare sul mercato questo nuovo processore.