Alcuni giorni fa Qualcomm ha ufficialmente annunciato il nuovo Snapdragon 835 e la ricarica rapida Quick Charge 4.0, le ultime novità per la fascia alta del mercato smartphone che arriveranno nella prima metà del 2017. L’azienda statunitense non ha rivelato i dettagli tecnici del processore, svelando solamente che sarà realizzato da Samsung sfruttando il proprio processo produttivo FinFET a 10nm, ma nonostante ciò, nelle ultime ore sono emersi in rete nuovi dettagli sulle caratteristiche di questo SoC.
Seppur non ci siano informazioni ufficiali, secondo quest’ultimo leak il nuovo Snapdragon 835 dovrebbe essere basato su un’architettura più recente Kryo 200, la quale sfrutterà una configurazione octa-core (4+4) e sarà accompagnata dalla GPU Adreno 540.
Ma non solo, il nuovo modem sarà in grado di supportare reti LTE Cat.16 e non mancherà il supporto fino a quattro canali di memorie LPDDR4 a 1866 MHz e UFS 2.1.
La tabella si chiude con l’indicazione del Samsung Galaxy S8 come uno dei primi smartphone a portare sul mercato questo nuovo processore.