Nel febbraio 2020, Samsung aveva avviato la sua prima linea di produzione di massa per il pacchetto DRAM mobile LPDDR5 da 16 GB utilizzando il nodo di processo 1y, di classe 10nm di seconda generazione. Ora, Samsung ha avviato la produzione di massa per il nodo di processo 1z per DRAM LPDDR5 da 16 Gb.
Samsung Electronics ha spinto il limite per l’adozione di RAM ad alte capacità. La società aveva annunciato lo sviluppo di 8GB LPDDR5 RAM nel luglio 2018, in seguito con la produzione di massa di DRAM cellulare 12GB LPDDR5 nel mese di luglio 2019 e il 16 GB LPDDR5 a febbraio 2020. Questo nuovo annuncio riguarda la seconda linea di produzione a Pyeongtaek, in Corea, che ha ora avviato la produzione di massa della prima DRAM LPDDR5 da 16GB del settore utilizzando la tecnologia ultravioletta estrema.
La Pyeongtaek Line 2 di Samsung è la più grande linea di produzione di semiconduttori fino ad oggi, con una superficie di oltre 128.900 metri quadrati, l’equivalente di circa 16 campi da calcio. Samsung afferma che la nuova linea Pyeongtaek “fungerà da hub di produzione chiave per le tecnologie dei semiconduttori più avanzate del settore, fornendo DRAM all’avanguardia, rafforzando al contempo la leadership dell’azienda nell’era dell’Industria 4.0 “.
La nuova LPDDR5 da 16 Gb è la prima memoria basata sul nodo di processo 1z attualmente più avanzato e che viene prodotta in serie utilizzando la tecnologia EUV, rendendola la più alta velocità e la più grande capacità disponibile nella DRAM mobile. Il processo 1z rende anche questo pacchetto LPDDR5 circa il 30% più sottile rispetto al suo predecessore e circa il 16% più veloce.